• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   DSpace@FSM Vakıf
  • Fakülteler / Faculties
  • Mühendislik Fakültesi / Faculty of Engineering
  • Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
  • Öğe Göster
  •   DSpace@FSM Vakıf
  • Fakülteler / Faculties
  • Mühendislik Fakültesi / Faculty of Engineering
  • Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Analysis of a GaN based PWM AC-AC Converter with an Improved Switch Loss Model

Thumbnail

Göster/Aç

Ana Makale (3.837Mb)

Erişim

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess

Tarih

2021

Yazar

Gülbahçe, Mehmet Onur
Bulut, Enis Barış
Kocabaş, Derya Ahmet

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Künye

GÜLBAHÇE, Mehmet Onur, Enis Barış BULUT & Derya Ahmet KOCABAŞ. " Analysis of a GaN based PWM AC-AC Converter with an Improved Switch Loss Model". International Journal of Electronics and Communications (AEÜ), 131 (2021): 1-10.

Özet

AC-AC converters have a wide range of use in industrial applications mostly with installed silicon switches. In last decade, GaN’s are served to market with their high efficiency and fast on-off times, hence implementation of GaN’s to any conventional power electronic circuit is a focus of interest. In this paper, effects of both GaN and MOS switches on efficiency of an AC-AC converter were analysed both numerically and practically. A new extended mathematical loss model proposed by the authors was used to calculate the switching-conduction losses. Laboratory tests were performed with same physical circuit for both switches having the same package. Calculated and measured efficiencies and loss results which are in great harmony proved that the proposed mathematical loss model is extraordinarily realistic. All-in-all, it was observed that GaN and MOSFET switches have both high efficiencies (greater than 96.5%) at low switching frequencies, even though they operate at low power levels. With increasing switching frequency, GaN’s efficiency is slightly reduced (less than 0.5%) while that of MOSFET decreased dramatically almost by 3%. Besides, it was seen that at low frequencies, reverse diode has a significant effect on efficiency of a fast switch, although switching-conduction losses are extremely low.

Kaynak

International Journal of Electronics and Communications

Cilt

131

Bağlantı

https://hdl.handle.net/11352/3363

Koleksiyonlar

  • Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü [67]
  • Scopus İndeksli Yayınlar / Scopus Indexed Publications [630]
  • WOS İndeksli Yayınlar / WOS Indexed Publications [568]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Politika | Rehber | İletişim |

DSpace@FSM

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

İstatistikler

Google Analitik İstatistiklerini Görüntüle

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Politika || Rehber || Kütüphane || FSM Vakıf Üniversitesi || OAI-PMH ||

FSM Vakıf Üniversitesi, İstanbul, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
FSM Vakıf Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@FSM:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.